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士兰微电子SVGQ042R8NL5V-2HS说明书
112A、40VN沟道增强型场效应管
描述
S18D
SVGQ042R8NL5V-2HSN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采
S27D
用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具
S36D
有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
G45D
可应用于12V汽车电机控制系统、Start-stopmicro-hybrid等。
特点
符合AEC-Q101标准
112A，40V，R=2.3m@V=10V
DS(on)（典型值）GS
低栅极电荷
低反向传输电容PDFN-8Q-5X6X1.1-1.27
开关速度快
提升了dv/dt能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
可用于增强光学检测的可润湿侧翼
最大结温：Tjmax.=175ºC
关键特性参数
参数参数值单位
VDS40V
VGS(th)2.4~3.4V
RDS(on),max2.8m
ID112A
Qg.typ39nC
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVGQ042R8NL5V-2HSTRPDFN-8Q-5X6X1.1-1.27Q42R8-2HS无卤编带
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2
http://共10页第1页
士兰微电子SVGQ042R8NL5V-2HS说明书
极限参数（除非特殊说明，T=25C）
J
参数值
参数符号测试条件单位
最小值典型值最大值
栅源电压
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