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半导体器件制造工艺参数监控考核试卷

考生姓名：________________答题日期：________________得分：_________________判

卷人：_________________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.半导体器件制造过程中，用于监测硅片表面平整度的参数是：（）

A.电阻率

B.折射率

C.表面粗糙度

D.掺杂浓度

2.下列哪种光刻技术在半导体器件制造中用于形成微细图形？（）

A.接触式光刻

B.折射式光刻

C.干式光刻

D.光学邻近效应光刻

3.在半导体器件制造中，以下哪个工艺参数对MOSFET器件的阈值电压影响最大？（）

A.栅氧厚度

B.栅长度

C.栅掺杂浓度

D.源漏掺杂浓度

4.下列哪种方法主要用于去除半导体器件制造过程中的有机沾污？（）

A.磁控溅射

B.湿法清洗

C.离子注入

D.紫外光照射

5.在半导体器件制造中，下列哪个参数会影响热氧化硅层的质量？（）

A.氧气流量

B.氢气流量

C.温度

D.时间

6.下列哪种掺杂方法适用于重掺杂半导体器件？（）

A.离子注入

B.扩散

C.热氧化

D.化学气相沉积

7.下列哪个工艺参数对BJT器件的电流放大系数β影响最大？（）

A.基区宽度

B.发射极掺杂浓度

C.基区掺杂浓度

D.集电极掺杂浓度

8.在半导体器件制造过程中，以下哪个步骤不属于CVD（化学气相沉积）工艺？（）

A.外延生长

B.多晶硅沉积

C.刻蚀

D.氧化

9.下列哪种测试方法用于监测半导体器件的热稳定性？（）

A.电容-电压测试

B.肖特基测试

C.霍尔效应测试

D.热载流子测试

10.在半导体器件制造中，以下哪个参数会影响离子注入的深度？（）

A.注入能量

B.注入剂量

C.注入角度

D.注入温度

11.下列哪种刻蚀方法主要用于去除半导体器件中的多余氧化硅？（）

A.干法刻蚀

B.湿法刻蚀

C.离子束刻蚀

D.反应离子刻蚀

12.在半导体器件制造中，以下哪个因素会影响光刻胶的分辨率？（）

A.光刻胶厚度

B.曝光能量

C.显影时间

D.所有上述因素

13.下列哪种材料常用于半导体器件的钝化保护层？（）

A.硅

B.硅氧化物

C.硅氮化物

D.硅碳化物

14.在半导体器件制造中，以下哪个参数会影响MOSFET器件的亚阈值摆幅？（）

A.栅氧厚度

B.栅长度

C.源漏掺杂浓度

D.通道掺杂浓度

15.下列哪种方法用于改善半导体器件的表面沾污问题？（）

A.增加离子注入剂量

B.提高光刻对位精度

C.使用表面活性剂清洗

D.降低热处理温度

16.在半导体器件制造过程中，以下哪个步骤会导致硅片表面出现微缺陷？（）

A.热氧化

B.光刻

C.刻蚀

D.清洗

17.下列哪种测试方法用于评估半导体器件的漏电特性？（)

A.电容-电压测试

B.肖特基测试

C.霍尔效应测试

D.I-V特性测试

18.在半导体器件制造中，以下哪个因素会影响离子注入的横向扩散？（）

A.注入能量

B.注入剂量

C.注入温度

D.注入角度

19.下列哪种工艺方法用于形成半导体器件中的局部氧化层？（）

A.干法氧化

B.湿法氧化

C.离子注入氧化

D.局部热氧化

20.在半导体器件制造中，以下哪个参数会影响PMOS器件的阈值电压稳定性？（）

A.栅掺杂浓度

B.源漏掺杂浓度

C.通道掺杂浓度

D.栅氧厚度

二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少

有一项是符合题目要求的）

1.下列哪些因素会影响半导体器件的热氧化质量？（）

A.氧气流量

B.硅片温度

C.氧化时间

D.硅片掺杂类型

2.在半导体器件制造中，以下哪些方法可以用来改善器件的短沟道效应？（）

A.减小栅长度

B.增加栅氧厚度

C.降低源漏掺杂浓度

D.使用高介电常数材料

3.下列哪些工艺步骤涉及到光刻技术？（）

A.栅极图形的形成

B.源漏区的定义

C.金属连接线的制作

D.器件隔离

4.以下哪些测试可以用来评估半导体器件的n型和p型掺杂特性