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SVG094R1NT(S)(KL)说明书
120A、90VN沟道增强型场效应管
描述
SVG094R1NT(S)(KL)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用
士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有
较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
120A，90V，RDS(on)（典型值）3.4m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVG094R1NTTO-220-3L094R1NT无铅料管
SVG094R1NSTO-263-2L094R1NS无卤料管
SVG094R1NSTRTO-263-2L094R1NS无卤编带
SVG094R1NKLTO-262L-3L094R1NKL无铅料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.5
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SVG094R1NT(S)(KL)说明书
极限参数（除非特殊说明，T25C）
J
参数符号参数值单位
漏源电压VDS90V
栅源电压VGS±20V
T25°C120
C
漏极电流IDA
T100°C110
C
漏极脉冲电流IDM480A
耗散功率（T25C）219W
C
PD
-大于25C每摄氏度减少
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