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SVG105R4NT(S)(KL)说明书
120A、100VN沟道增强型场效应管
描述
SVG105R4NT(S)(KL)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用
士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有
较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
120A,100V,RDS(on)(典型值)5.0m@VGS10V
低栅极电荷
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
关键特性参数
参数参数值单位
VDS100V
VGS(th)2.0~4.0V
RDS(on),max5.4m
ID120A
Qg.typ64nC
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVG105R4NTTO-220-3L105R4NT无铅料管
SVG105R4NSTO-263-2L105R4NS无卤料管
SVG105R4NSTRTO-263-2L105R4NS无卤编带
SVG105R4NKLTO-262L-3L105R4NKL无铅料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.22022-03-28
共9页第1页
SVG105R4NT(S)(KL)说明书
极限参数(除非特殊说明,T25C)
J
参数值
参数符号测试条件单位
最小值典型值最大值
漏源电压VDS--100----V
栅源电压VGS---20--20V
T25C----120A
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