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SVG108R5NAD说明书

94A、100VN沟道增强型场效应管

描述

SVG108R5NADN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的

LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的

导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点

94A，100V，RDS(on)（典型值）7.2m@VGS10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVG108R5NADTRTO-252-2L108R5NAD无卤编带

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.0

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SVG108R5NAD说明书



极限参数(除非特殊说明，TC25C)

参数符号参数值单位

漏源电压VDS100V

栅源电压VGS±20V

T25°C94

C

漏极电流IDA

T100°C59

C

漏极脉冲电流IDM376A

耗散功率（T25C）87W

C

PD

-大于25C每摄氏度减少0.69

W/C

单脉冲雪崩能量（注1）EAS240mJ

工作结温范围TJ-55～+150C

贮存温度范围Tstg-55～+150