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CRSM035N03L6Z
华润微电子(重庆)有限公司SkyMOS6N-MOSFET30V,3.1mΩ,50A
FeaturesProductSummary
•UsesCRM(CQ)advancedSkyMOS6technologyVDS30V
•Extremelylowon-resistanceRDS(on)RDS(on).typ3.1mΩ
•ExcellentQxRproduct(FOM)ID50A
gDS(on)
•QualifiedaccordingtoJEDECcriteria
100%DVDSTested
Applications100%AvalancheTested
•DC/DCConvertersinComputing
•BatterymanagementSystem
CRSM035N03L6Z
PackageMarkingandOrderingInformation
Part#MarkingPackagePackingReelSizeTapeWidthQty
CRSM035N03L6Z035N03L6ZPDFN5*6TapeN/AN/A4k/5k
AbsoluteMaximumRatings
ParameterSymbolValueUnit
Drain-sourcevoltageVDS30V
Continuousdraincurrent
T=25°C(Siliconlimit)90
C
IDA
T=25°C(Packagelimit)50
C
T=100°C(Siliconlimit)54
C
Pulseddraincurrent(T=25°C,tl
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