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硅、锗单晶电阻率测定方法修订
方法1：直排四探法
方法2：直流两探针法
送审稿编制说明
一、任务来源及计划要求
根据中色标所字[2006]26号文，关于下达2006-2008年第二批半导体材料国家标准修
订计划的通知精神，对中华人民共和国国家标准GB/T1551-1995《硅、锗单晶电阻率测
定直流两探针法》和GB/T1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法》进行修订，
将这两个标准合并编制为《硅、锗单晶电阻率测定方法方法1：直排四探法方法2：
直流两探针法》。
二、编制过程（包括编制原则、工作分工、征求意见单位、各阶段工作过程等）
本标准以国家标准GB/T1551-1995和GB/T1552-1995为基础，参照国外先进标准SEMI
MF84-1105和SEMIMF397-1106，对原标准进行了补充和修订。
该标准的修订工作组主要由信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技
集团公司第四十六研究所承担。
2006年12月成立了标准修订工作组，在国内广泛调研的基础上，于2007年8月完
成了标准征求意见稿，并对中国有色金属工业标准计量质量研究所、宁波立立电子股份
有限公司、杭州海纳半导体有限公司、有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子股
份有限公司、南京国盛电子有限公司等26家单位函审征求意见。
在2007年9月举办的“半导体材料国行标”的预审会上，该标准征求了宁波立立电
子股份有限公司、有研半导体材料股份有限公司、南京国盛电子有限公司等17家单位的
意见，我们依据参会代表提出的意见对该标准进行了修改。
三、调研和分析工作情况
查阅了国外SEMIMF84-1105和SEMIMF397-1106等相关标准。本标准以国家标准GB/T
1551-1995和GB/T1552-1995为基础，参照国外先进标准SEMIMF84-1105和SEMIMF
397-1106，对原标准进行了补充和修订。
为指导硅、锗材料生产应用单位使用好该标准，对该方法的干扰因素进行了分析，在
编制标准中增加了干扰因素。
对原测试标准中所列举的欧姆接触材料进行实验发现使用不便，经多家单位使用验证
导电橡胶做两探针法端面接触材料方便有效。
四、主要修订点
4.1本标准将GB/T1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》和GB/T1552-1995
《硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法》两个标准，合并编制为《硅、锗单晶电阻率测
定方法方法1：直排四探法方法2：直流两探针法》。
4.2本标准去掉了原标准GB/T1551-1995和GB/T1552-1995中的若干记录测试数据的
表格，简化了标准。
4.3本标准参照SEMIMF84-1105《硅片电阻率测定四探针法》修改了方法101中5.2.2条
的计算公式（9）和（10）。
根据测量值计算模拟电路的正向电阻r及反向电阻r
fr：
r=VR/V…………………(9)
fafssf
r=VR/V
rarssr
式中：r模拟电路的正向电阻,；
f
r模拟电路的反向电阻，；
r
R标准电阻阻值，；
s
V正向电流下模拟电路两端的电势差，mV;
af
V反
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