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2014

《半导体物理学》年

选择题

1、锗的晶格结构和能带结构分别是（C)。

A.金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型

C.金刚石型和间接禁带型D.闪锌矿型和间接禁带型

2、A

简并半导体是指（）的半导体。

(E-E)或(E-E)0

CFFV

(E-E)(E-E)0

或

CFFV

能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度

D导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子

314315-3

10cm,10cmB

在某半导体掺入硼的浓度为磷为，则该半导体为（）半导体

、

A.本征B.n型，C.p型

4、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（D)。

A.施主B.受主C.复合中心D.两性杂质5、一块半导体寿命T=15Q，光照在材料中会产生

非平衡载流子，光照突然停止

30pS后,

其中非平衡载流子将衰减到原来的（C)。

A.1/4；B.1/e；C.1/e2；D.1/2

6、在纯的半导体硅中掺入

硼，在一定的温度下，当掺C.Ei;D.EF

入的浓度增加时，费米能级

会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（

A.B.C.D.产生等电子陷阱。

改变禁带宽度；产生复合中心；产生空穴陷阱

8、对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（C)。

向（

移动•

A.Ev；B.Ec；

7、把磷化镓在氮气中退火，

A.非平衡载流子浓度成正比；B.平衡载流子浓度成正比;

C.非平衡载流子浓度成反比；D.平衡载流子浓度成反比。

9、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和

晶格振动声子的散射概率的变化分别是（B）。

A.变大，变小；B.变小，变大；C.变小，变小；D.变大，变大。

X16-3

10、在磷掺杂浓度为210cm的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最

适合的是（A）。

A.In（Wn=3.8eV）；B.Cr（W=4.6eV）；C.Au（Wn=4.8eV）；D.Al（W

m

n=4.2eV）。

11、根据费米分布函数，电子占据（+kT）能级的几率B—。

A.等于空穴占据（E+kT）能级的几率B•等于空穴占据（E—kT）能级的几率

FF

C.大于电子占据E的几率D.大于空穴占据E的几