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半导体物理与器件题库
目录
半导体物理与器件题库
填空题
简答分析题
名词解释
计算题
第一篇习题半导体中的电子状态
第二篇习题-半导体中的杂质和缺陷能级
第二篇题解
第三篇习题半导体中载流子的统计分布
第三篇题解半导体中载流子的统计分布
第四篇习题-半导体的导电性.
第四篇题解-半导体的导电性.
第五篇习题-非平衡载流子.
第五篇题解-非平衡载流子.
填空题
1．固体材料可以分为晶体和非晶体两大类，它们之间的主要区别是。
2．纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质；相应的半导体称N型半导体。
3．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。前者在电离施主或电离受主形成的库伦势
场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。
4．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。
5．对n型半导体，如果以E和E的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那末，为非简并条件；为弱
FC
简并条件；简并条件。
6．空穴是半导体物理学中一个特有的概念，它是指：；
7．施主杂质电离后向带释放，在材料中形成局域的电中心；受主杂质电离后带释放，在材料中形成电中
心；
8．半导体中浅能级杂质的主要作用是；深能级杂质所起的主要作用。
9.半导体的禁带宽度随温度的升高而__________；本征载流子浓度随禁带宽度的增大而__________。
10.施主杂质电离后向半导体提供，受主杂质电离后向半导体提供，本征激发后向半导体提供。
11.对于一定的n型半导体材料，温度一定时，较少掺杂浓度，将导致靠近Ei。
12.热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与和有关，而与、
无关。
A.杂质浓度B.杂质类型C.禁带宽度D.温度
12.指出下图各表示的是什么类型半导体？
2
13．np=n标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积np改变否？不变；当温度变化时，np
ooioooo
改变否？改变。
14．非平衡载流子通过复合作用而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁
带中的位置密切相关，对于强p型和强n型材料，小注入时寿命τn为，寿命τp为.
15．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联
DkT
系两者的关系式是n=0，称为爱因斯坦关系式。
q
n
16．半导体中的载流子
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