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士兰微电子SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3说明书
11A,650V超结MOS功率管
描述2
SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3N沟道增强型高压功率
MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗1
和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3应用广泛。如，适用于3
硬/软开关拓扑。1.栅极2.漏极3.源极
特点
11A，650V，RDS(on)(typ.)=0.33@VGS=10V
11
创新高压技术223
TO-220FJD-3LTO-220FJH-3L
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力13
较高的峰值电流能力DFN-4-8x8x0.85-2.0TO-252-2L
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
关键特性参数
参数参数值单位
VDS650V
VGS(th)2.0~4.0V
R0.4
DS(on)，max.
ID.pulse44A
Qg.typ.27nC
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVS65R400DE3TRTO-252-2L65R40DE3无卤编带
SVS65R400FJHE3TO-220FJH-3L6540FJHE3无卤料管
SVS65R400FJDE3TO-220FJD-3L65R400FDE3无卤料管
SVS65R400L8AE3TRDFN-4-8x8x0.85-2.065R400E3无卤编带
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2
http://共10页第1页
士兰微电子SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3说明书
极限参数（除非特殊说明，T=25C）
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