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士兰微电子SVS70R600D(S)(MJ)(F)(FJD)(FJH)E3说明书
7A,700V超结MOS功率管
描述2
SVS70R600D(S)(MJ)(F)(FJD)(FJH)E3N沟道增强型高压功率
1
2
MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗13
和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。TO-220F-3L
此外,SVS70R600D(S)(MJ)(F)(FJD)(FJH)E3应用广泛。如,适3
用于硬/软开关拓扑。
1.栅极2.漏极3.源极
1
2
3
特点TO-220FJH-3L
7A,700V,RDS(on)(typ.)=0.5@VGS=10V
创新高压技术1
231
2
3
低栅极电荷TO-220FJD-3L
TO-251J-3L
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
11
3
较高的峰值电流能力3
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