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SVG108R5NAMQ(MJ)说明书
94A、100VN沟道增强型场效应管
描述
SVG108R5NAMQ(MJ)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采
用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具
有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
94A，100V，RDS(on)（典型值）7.2m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVG108R5NAMQTO-251Q-3L108R5NAMQ无卤料管
SVG108R5NAMJTO-251J-3L108R5NAMJ无卤料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2
共8页第1页
SVG108R5NAMQ(MJ)说明书
极限参数（除非特殊说明，TA25C）
参数名称符号参数值单位
漏源电压VDS100V
栅源电压VGS±20V
T25°C94
C
漏极电流IDA
T100°C59
C
漏极脉冲电流IDM376A
耗散功率（T25C）87W
C
PD
-大于25C每摄氏度减少0.69
W/C
单脉冲雪崩能量（注1）EAS240
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