芯片IBIS模型地钳位曲线和电源钳位曲线重建的方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101221587A

(43)申请公布日2008.07.16

(21)申请号CN200710036277.X

(22)申请日2007.01.09

(71)申请人上海杰得微电子有限公司

地址201203上海市浦东新区张江高科技园区碧波路572弄115号16号楼

(72)发明人欧阳合黄娟王阳王新成杨海潘杰王立伟徐晖

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司

代理人顾继光

(51)Int.CI

G06F17/50

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

芯片IBIS模型地钳位曲线和电源钳

位曲线重建的方法

(57)摘要

本发明公开了一种芯片IBIS模型地

钳位曲线和电源钳位曲线重建的方法，用

简单电路模型重构IBIS的电流电压曲线，

适用于信号完整性分析和电路仿真技术领

域，根据电源钳位曲线和地钳位曲线所表

现的特点，选择合适的分立元件，主要是

二极管和电阻来搭建不同的等效电路，然

后对该等效电路进行仿真而获得IBIS模型

的准确的地钳位曲线和电源钳位曲线。这

种方法简单易行，可以使得工程师在未获

得精确的IBIS模型时可以进行准确的仿

真。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.-种芯片IBIS模型地钳位曲线重建的方法，包括地钳位曲线拟合，其特征是，构

建一个二极管串连电阻的等效电路，对该等效电路进行spice仿真获取其电流电压

曲线作为所述IBIS模型的新的地钳位曲线。

2.根据权利要求1所述的芯片IBIS模型地钳位曲线重建的方法，其特征是，所述

二极管门坎电压为原地钳位曲线拐点对应电压。

3.根据权利要求1所述的芯片IBIS模型地钳位曲线重建的方法，其特征是，所述

电阻TRg为原地钳位曲线中斜线段的斜率，按下式确定：

mathsmathmrowmiRg/mimo=/momfracmiDelta;Vg/mimi

Delta;Ig/mi/mfracmo=/momfracmrowmiVg/mimo-

/momiVtg/mi/mrowmrowmiIg/mimo-

/momiItg/mi/mrow/mfracmo,/mo/mrow/math/maths其中Vtg，

Itg为原地钳位曲线中拐点对应的电压电流值，Vg，Ig为原地钳位曲线中斜线段线

性部分的任一点电压。

4.一种芯片IBIS模型电源钳位曲线重建的方法，包括电源钳位曲线拟合，其特征

是，构建一个二极管串连电阻的等效电路，对该等效电路进行spice仿真获取其电

流电压曲线作为所述IBIS模型的新的电源钳位曲线。

5.根据权利要求4所述的芯片IBIS模型电源钳位曲线重建的方法，其特征是，所

述二极管门坎电压为原电源钳位曲线拐点对应电压。

6.根据权利要求4所述的芯片IBIS模型电源钳位曲线重建的方法，其特征是，所

述电阻Rp为原电源钳位曲线中斜线段的斜率，按下式确定：

mathsmathmrowmiRp/mimo=/momfracmiDelta;Vp/mimi

Delta;Ip/mi/mfracmo=/momfracmrowmiVp/mimo-

/momiVtp/mi/mrowmrowmiIp/mimo-

/momiItp/mi/mrow/mfracmo,/mo/mrow/math/maths其中Vtp，

Itp为原电源钳位曲线中拐点对应的电压电流值，Vp，Ip为原电源钳位曲线中斜线

段线性部分的任一点电压。

说明书

技术领域

本发明涉及一种印制板仿真方法，特别涉及一种IC芯片的IBIS模型仿真方法。

背景技术

在IC芯片应用与仿真技术中，IBIS模型是一种基于电流电压曲线(