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CRSG026N10N

华润微电子(重庆)有限公司SkyMOS1N-MOSFET100V,2.3mΩ,219A

FeaturesProductSummary

•UsesCRM(CQ)advancedSkyMOS1technologyVDS100V

•Extremelylowon-resistanceRDS(on)RDS(on)2.3mΩ

•ExcellentQxRproduct(FOM)ID219A

gDS(on)

•QualifiedaccordingtoJEDECcriteria

Applications100%100%100%DVDSTestedDVDSTestedDVDSTested

•Motorcontrolanddrive

100%100%100%AvalancheTestedAvalancheTestedAvalancheTested

•Batterymanagement

•UPS(UninterrupiblePowerSupplies)

CRSG026N10N

PackageMarkingandOrderingInformation

Part#MarkingPackagePackingReelSizeTapeWidthQty

CRSG026N10N-TO-263-6LTapeN/AN/A800pcs

AbsoluteMaximumRatings

ParameterSymbolValueUnit

Drain-sourcevoltageVDS100V

Continuousdraincurrent

T=25°C(Siliconlimit)219

IDA

T=25°C(Packagelimit)

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