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CRSM013N06N4Z
华润微电子(重庆)有限公司SkyMOS4N-MOSFET60V,1.1mΩ,260A
FeaturesProductSummary
•UsesCRM(CQ)advancedSkyMOS4technologyVDS60V
•Extremelylowon-resistanceRDS(on)RDS(on).typ1.1mΩ
•ExcellentQxRproduct(FOM)ID260A
gDS(on)
•QualifiedaccordingtoJEDECcriteria
100%DVDSTested
Applications100%AvalancheTested
•Motorcontrolanddrive
•BatterymanagementSystem
•UPS(UninterrupiblePowerSupplies)
CRSM013N06N4Z
PackageMarkingandOrderingInformation
Part#MarkingPackagePackingReelSizeTapeWidthQty
CRSM013N06N4Z013N06N4ZDFN5*6TapeN/AN/A5000pcs
AbsoluteMaximumRatings
ParameterSymbolValueUnit
Drain-sourcevoltageVDS60V
Continuousdraincurrent
TC=25°C(Siliconlimit)ID260A
T=100°C(Siliconlimit)163
C
Pulseddraincurrent(T=25°C,tlimitedbyT)I1040A
CpjmaxDpulse
Av
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