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GaAs基纳米线的生长及发光特性研究.pdf

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    摘要

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    砷化镓(GaAs)材料是一种具有代表性的III-V族半导体材料，由于其较高的电子

    迁移率、良好的抗辐照能力、较高的光电转换效率以及较低的本征载流子浓度，在半

    导体光电子领域得到了广泛的使用，主要用于制备红外半导体光电器件。而GaAs纳

    米线具有独特的一维结构且尺寸较小，与其他材料异质结合，构成量子阱、核壳等结

    构，成为光电子器件的基础元件，在今后的光电子一体化中有着很好的应用价值。但

    GaAs基纳米线还存

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