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第三代半导体材料产业行动方案

20xx年xx月

目录

一、原则3

二、规划思路.4

三、产业环境分析.4

四、发展目标.6

五、核心任务.7

六、措施保障.8

重点项目分析：xx项目10

重点项目分析：xx项目15

第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度

≥2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料。在第三代半导体材

料中，目前发展较为成熟的是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），这两

种材料是当下规模化商用最主要的选择。

加强产业政策与财税、金融等相关政策的衔接，支持各类社会资

本参与企业并购重组，合力推进产业稳增长、调结构、转型升级、降

本增效。积极协调落实相关配套政策，加强对区域的督促指导，统筹

推进各项工作。

当前是我国加快转变经济发展方式的关键时期，为加快区域产业

转型升级，提升产业核心竞争力，促进行业持续健康发展，提出本指

导意见。

一、原则

1、坚持创新发展。开发高效适用新技术，拓展产品应用领域，创

新行业经营模式，优化资源配置，促进融合，实现创新发展。

2、区域协同，部门联动。深入推进区域产业发展协同发展，在更

大区域范围内打造产业发展链条，形成错位发展、共同发展格局；加

强部门间的统筹协调，建立联动机制，形成合力。

3、加强引导，市场推动。完善法规和标准，规范产业市场主体行

为，建立公平的市场环境；综合运用价格、财税、金融等经济手段，

发挥市场配置资源的决定性作用，激发企业发展的内生动力。

4、因地制宜，特色发展。紧密结合区域发展要素条件，充分发挥

比较优势，围绕核心产业，引进培育龙头企业，形成各具特色、差异

发展的发展新格局。

5、开放融合。树立全球视野，对标国际先进，把握“一带一路”

重大战略契机，聚焦产业重点领域，探索发展合作新模式，在全球范

围配置产业链、创新链和价值链，更大范围、更高层次上参与产业竞

争合作，走开放式创新和国际化发展的道路。

二、规划思路

坚持贯彻落实科学发展观，进一步增强机遇意识，发展意识，责

任意识。坚持走新型产业化道路，加快产业调整步伐，进一步加大改

革开放和招商引资力度。

三、产业环境分析

第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度

≥2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料。在第三代半导体材

料中，目前发展较为成熟的是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），这两

种材料是当下规模化商用最主要的选择。

与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽

的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率

及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、大功率及抗辐射器

件，可广泛应用在高压、高频、高温以及高可靠性等领域，包括射频

通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等。

GaN器件主要包括射频器件、电力电子功率器件、以及光电器件三

类。GaN的商业化应用始于LED照明和激光器，其更多是基于GaN的直

接带隙特性