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士兰微电子SVS7N60F(D)D2说明书
7A,600VDPMOS功率管
描述2
SVS7N60F(D)D2N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电
子DPMOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功1
率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。3
此外，SVS7N60F(D)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。1.栅极2.漏极3.源极
特点
7A,600V,RDS(on)(典型值)=0.48@VGS=10V12
3
创新高压技术TO-220F-3L
低栅极电荷
较强的雪崩能力
1
较强的dv/dt能力3
较高的峰值电流能力TO-252-2L
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVS7N60DD2TRTO-252-2LSVS7N60DD2无卤编带
SVS7N60FD2TO-220F-3LSVS7N60FD2无卤料管
极限参数(除非特殊说明，T=25C)
C
参数范围
参数名称符号单位
SVS7N60FD2SVS7N60DD2
漏源电压VDS600V
栅源电压VGS±30V
T=25°C7.0
C
漏极电流IDA
T=100°C4.4
C
漏极脉冲电流IDM
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