士兰微一级代理商SVS7N65FJD2深圳恒锐丰科技.pdf

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SVS7N65FJD2说明书

7A,650VDPMOS功率管

描述

SVS7N65FJD2N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子

DPMOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率

转换器具有高效，高功率密度等特性，提高热行为。

此外，SVS7N65FJD2应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑等领域。

特点

7A,650V,RDS(on)(典型值)=0.55@VGS=10V

创新高压技术

低栅极电荷

较强的雪崩能力

较强的dv/dt能力

较高的峰值电流能力

产品规格分类

产品名封装形式打印名环保等级包装形式

SVS7N65FJD2TO-220FJ-3L

7N65FJD2无卤料管

极限参数(除非特殊说明，T=25C)

参数名符号参数范围单位

漏源电压VDS650V

栅源电压VGS±30V

T=25°C7.0

漏极电流IA

T=100°C4.4

漏极脉冲电流IDM28A

耗散功率(T=25C)35W

该用户很懒，什么也没介绍

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