士兰微一级代理商SVS20N60FJD2深圳恒锐丰科技.pdf

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士兰微电子SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书

20A,600V超结MOS功率管

描述2

1

SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2N沟道增强型高压功率2312

13TO-220F-3L

MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗TO-262-3L

3

和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。1

1.栅极2.漏极3.源极3

此外,SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2应用广泛。如,适用TO-263-2L

于硬/软开关拓扑。

1

2

3

特点123TO-247-3LTO-220-3L

20A,600V,RDS(on)(典型值)=0.16@VGS=10V

创新高压技术

1

低栅极电荷23TO-220FJ-3L1

23

定期额定雪崩TO-3P

较强dv/dt能力

高电流峰值

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVS20N60FJD2TO-220FJ-3L20N60FJD2无卤料管

SVS20N60KD2

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