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士兰微电子SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书
20A,600V超结MOS功率管
描述2
1
SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2N沟道增强型高压功率2312
13TO-220F-3L
MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗TO-262-3L
3
和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。1
1.栅极2.漏极3.源极3
此外,SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2应用广泛。如,适用TO-263-2L
于硬/软开关拓扑。
1
2
3
特点123TO-247-3LTO-220-3L
20A,600V,RDS(on)(典型值)=0.16@VGS=10V
创新高压技术
1
低栅极电荷23TO-220FJ-3L1
23
定期额定雪崩TO-3P
较强dv/dt能力
高电流峰值
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVS20N60FJD2TO-220FJ-3L20N60FJD2无卤料管
SVS20N60KD2
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