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士兰微电子SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4说明书
20A,600V超结MOS功率管
描述2
SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4N沟道增强1
23
型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低1TO-220FJD-3L
的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提
3
高热行为。1
1.栅极2.漏极3.源极23
此外,SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4应用广TO-220F-3L
D(2)
G(1)
S(3)
S(3)
泛。如,适用于硬/软开关拓扑。13S(3)
DFN-4-8x8x0.85-2.0
TO-252-2L
特点1
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