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SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7)说明书

180A、100VN沟道增强型场效应管

描述

SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7)N沟道增强型功率MOS场效应

晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得

该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点

180A，100V，RDS(on)（典型值）2.5m@VGS10V

低栅极电荷

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

符合RoHS环保标准

关键特性参数

参数参数值单位

VDS100V

VGS(th)2.2~3.8V

RDS(on)max3.0m

，

ID.pulse720A

Qg.typ171nC

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVG103R0NTTO-220-3L103R0NT无铅料管

SVG103R0NSTO-263-2L103R0NS无卤料管

SVG103R0NSTRTO-263-2L103R0NS无卤编带

SVG103R0NKLTO-262L-3L103R0NKL无铅料管

SVG103R0NS6TRTO-263-6L103R0NS6无卤编带

SVG103R0NP7TO-247-3L103R0NP7无铅料管

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.52022-03-10

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SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7)说明书



极限参数（除非特殊说明，T25C）

J

参数值

参数符号测试条件单位

最小值典型值最大值

漏源电压VDS--100----V

栅源电压