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SVG103R9NS说明书
120A、100VN沟道增强型场效应管
描述
SVG103R9NSN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的
LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的
导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
120A,100V,RDS(on)(典型值)3.2m@VGS10V
低栅极电荷
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
关键特性参数
参数参数值单位
VDS100V
VGS(th)2.0~4.0V
RDS(on),max3.9m
ID120A
Qg.typ83nC
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVG103R9NSTO-263-2L103R9NS无卤料管
SVG103R9NSTRTO-263-2L103R9NS无卤编带
杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.02023-03-29
共10页第1页
SVG103R9NS说明书
极限参数(除非特殊说明,T25C)
J
参数值
参数符号测试条件单位
最小值典型值最大值
漏源电压VDS--100----V
栅源电压VGS---20--20V
T25C----120A
C
漏极电流(注1)ID
T100C----100A
C
漏极脉冲电流
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