士兰微一级代理商SVG105R5NS深圳恒锐丰.pdf

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士兰微电子SVG105R5NT(S)说明书

120A、98VN沟道增强型场效应管

描述

SVG105R5NT(S)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰

的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低

的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点1.栅极2.漏极3.源极

120A，98V，R=4.6m@V=10V

DS(on)（典型值）GS

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快123

提升了dv/dt能力TO-220-3LTO-263-2L

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVG105R5NTTO-220-3L105R5NT无铅料管

SVG105R5NSTO-263-2L105R5NS无卤料管

SVG105R5NSTRTO-263-2L105R5NS无卤编带

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2

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士兰微电子SVG105R5NT(S)说明书

极限参数(除非特殊说明，T=25C)

参数符号参数值单位

漏源电压VDS98V

栅源电压VGS±20V

T=25°C120

该用户很懒，什么也没介绍

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