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SVG10120NAT(D)说明书

80A、100VN沟道增强型场效应管

描述

SVG10120NAT(D)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的

LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通

电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点

80A，100V，RDS(on)（典型值）10m@VGS10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVG10120NATTO-220-3L10120NAT无铅料管

SVG10120NADTRTO-252-2L10120NAD无卤编带

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2

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SVG10120NAT(D)说明书



极限参数(除非特殊说明，TA25C)

参数值

参数符号单位

SVG10120NATSVG10120NAD

漏源电压VDS100V

栅源电压VGS±20V

T25°C80

C

漏极电流IDA

T100°C51

C

漏极脉冲电流IDM320A

152121W

耗散功率（T25C）

C

PD



-大于25C每摄氏度减少1.21.0W/C

单脉冲雪崩能量