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SVGP082R6NL5A说明书
100A、80VN沟道增强型场效应管
描述
SVGP082R6NL5AN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士
兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较
低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
100A,80V,RDS(on)(典型值)2.2m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
关键特性参数
参数参数值单位
VDS80V
VGS(th)2.2~3.8V
RDS(on),max2.6m
ID100A
Qg.typ.95nC
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVGP082R6NL5ATRDFN-8-5×6×0.9-1.27P082R6N无卤编带
杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.5
共10页第1页
SVGP082R6NL5A说明书
极限参数(除非特殊说明,T25C)
J
参数值
参数符号测试条件单位
最小值典型值最大值
漏源电压VDS--80----V
栅源电压VGS---20--20V
T25C----100A
C
漏极电流(注1)ID
T100C----100A
C
漏极脉冲电流(注2)IDMT25C----400A
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