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SVGP20110NT(S)(P7)说明书

88A、200VN沟道增强型场效应管

描述

SVGP20110NT(S)(P7)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采

用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具

有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点

88A，200V，RDS(on)（典型值）9.6m@VGS10V

低栅极电荷

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

符合RoHS环保标准

关键特性参数

参数参数值单位

VDS200V

VGS(th)2.0~4.0V

RDS(on),max10.7m

ID88A

Qg.typ64nC

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVGP20110NTTO-220-3LP20110NT无卤料管

SVGP20110NSTO-263-2LP20110NS无卤料管

SVGP20110NSTRTO-263-2LP20110NS无卤编带

SVGP20110NP7TO-247-3LP20110NP7无卤料管

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.22022-06-16

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SVGP20110NT(S)(P7)说明书



极限参数（除非特殊说明，T25C）

J

参数值

参数符号测试条件单位

最小值典型值最大值

漏源电压VDS--200----V

栅源电压VGS---20--20V

T25C----88A