2018年碳化硅宽禁带半导体功率器件研发及产业化项目可行性研究报告优质 .pdfVIP

2018年碳化硅宽禁带半导体功率器

件研发及产业化项目

可行性研究报告

2018年12月

目录

一、项目概况.

二、项目必要性、可行性分析

1、项目必要性5

（1）顺应行业发展趋势，实现产品结构升级的需要5

（2）把握市场际遇，巩固公司国内领先地位的需要5

（3）缩小与国际先进水平差距，提高国际竞争力的需要6

2、项目可行性7

（1）国家政策的重点支持提供了良好发展环境.7

（2）研发实力和技术积累为项目开发提供条件.7

（3）领先的产业链资源和客户资源为项目产业化打下基础8

三、项目产品及新增产能消化情况.

四、项目技术方案和主要设备选择.

1、工艺流程10

（1）SiCSBD工艺流程10

（2）SiCMOSFET工艺流程10

2、项目新增加设备列表11

3、项目新增土建投资列表11

4、项目新增加软件投资列表11

五、项目主要原材料和动力的供应情况

1、主要原辅材料12

2、主要动力供应12

六、项目竣工时间、产量

七、项目组织及实施

1、组织实施13

2、项目进度计划13

八、项目经济效益

一、项目概况

本项目是基于宽禁带半导体碳化硅材料的功率器件研发及产业

化，包括SiCSBD（肖特基二极管）及SiCMOSFET两类产品。本项

目的实施旨在突破高压SiC功率器件关键技术，重点针对碳化硅二极

管浪涌电流能力提升技术、碳化硅二极管雪崩耐量提升技术、沟槽底

部氧化层峰值电场抑制技术、器件终端边缘电场疏导技术进行研发。

开发碳化硅功率器件，打破国外产品在碳化硅宽禁带半导体功率

器件技术垄断，实现我国碳化硅功率器件的国产化。

本项目总投资额为11,419.27万元，具体投资构成如下：