《半绝缘砷化镓单晶衬底片》.docx

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半绝缘砷化镓单晶衬底片

1范围

本文件规定了半绝缘砷化镓单晶衬底片（以下简称“衬底片”）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。

本文件适用于垂直梯度凝固法（VGF）、液封直拉法（LEC）或垂直布里奇曼法（VB）生长的，用于射频、太阳能电池领域的衬底片的生产、检验和质量评价。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6619硅片弯曲度测试方法

GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6621硅片表面平整度测试方法

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T8760砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T13387硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

GB/T14140硅片直径测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T14844半导体材料牌号表示方法

GB/T17170半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

GB/T19199半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T26067硅片切口尺寸测试方法

SJ/T11488半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

4牌号和类别

4.1衬底片的牌号表示方法按GB/T14844的规定进行。

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4.2衬底片按直径分为50.8mm、76.2mm、100.0mm、150.0mm、200.0mm5种规格。

5技术要求

5.1电学性能

衬底片的电学性能应符合表1的规定。

表1电学性能

掺杂剂

项目

要求

I

II

非掺

电阻率Ω·cm

≥2×10

截面电阻率不均匀性%

≤15

霍尔迁移率cm/(V·s)

≥5500

掺碳

电阻率Ω·cm

≥1×10

[1×10,1×10)

截面电阻率不均匀性%

≤15

霍尔迁移率cm/(V·s)

≥4000

[1500,4000)

5.2表面晶向及晶向偏离

衬底片的表面晶向为＜100＞，晶向偏离不大于0.5°。

5.3位错密度

衬底片的位错密度等级及要求应符合表2的规定。

表2位错密度

规格mm

位错密度等级及要求cm

I

II

III

Ф50.8

[0,1500]

(1500,3000]

(3000,5000]

Ф76.2

[0,1500]

(1500,3000]

(3000,5000]

Ф100.0

[0,1500]

(1500,3000]

(3000,5000]

Ф150.0

[0,2000]

(2000,5000]

(5000,10000]

Ф200.0

[0,5000]

(5000,8000]

(8000,12000]

5.4参考面的取向、形状和尺寸

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5.4.1以主副参考面为基准时，Ф50.8mm、Ф76.2mm、Ф100.0mm、Ф150.0mm衬底片参考面的

取向、形状和尺寸应符合表3的要求。

表3参考面的取向、形状和尺寸

参数

要求

参考面选择

V型槽

燕尾槽

主参考面取向

°

［01i］±0.5属于1个砷面，主参考面垂直于V型槽

［0ii］±0.5属于1个镓面，主参考面垂直于燕尾槽

副参考面取向

°

主面朝上时，从主参考面逆时针转90±0.5

从主参考面顺时针转90±0.5

规格

Ф50.8mm

Ф76.2mm

Ф100.0mm

Ф150.0mm

主参考面长度mm

16±1

22±1

32±1

47.5±2.5

副参考面长度mm

8±1

11±1

18±1

30±2

5.4.2以V型切口(Notch)为基准时，Ф150.0mm、Ф200.0mm衬底片V型切口的取向和尺寸应符合

表4的规定。

表4V型切口的取向和尺寸

规格mm

要求

取向

°

深度mm

开角

°

Ф150.0

［010］±2

1

90

Ф2