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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN105552053A
(43)申请公布日2016.05.04
(21)申请号CN201610098995.9
(22)申请日2016.02.23
(71)申请人华天科技(昆山)电子有限公司;磊曜微电子(上海)股份有限公司
地址215300江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号
(72)发明人于大全耿增华翟玲玲崔磊沈歆煜
(74)专利代理机构昆山四方专利事务所
代理人盛建德
(51)Int.CI
H01L23/485
H01L21/60
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
MOSFET封装结构及其晶圆级制作
方法
(57)摘要
本发明公开了一种MOSFET封装
结构及其晶圆级制作方法，该封装结构包
括芯片，该芯片具有源极、栅极、漏极区
及重掺杂区，源极和栅极分别电性连接芯
片上表面的第一导电体和第二导电体，漏
极区内形成有延伸到重掺杂区的至少一孔
或槽，孔或槽内壁上铺有金属层，金属层
连接芯片上表面的第三导电体，作为漏
极。这样，可将垂直结构的MOSFET下表
面重掺杂区的电流引至MOSFET的上表
面，实现了源极、栅极、漏极在同一侧
面，以便进行晶圆级封装，且槽内大面积
金属层保证了芯片良好的散热效果；槽内
的金属层与连接源极、栅极的焊盘或者金
属线路层可同时形成，避免将晶圆背面金
属化，简化了工艺步骤，降低封装成本。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
未缴年费专利权终止IPC(主分
类):H01L23/485专利
2023-02-28号:ZL2016100989959申请专利权的终止
日权公告
日
权利要求说明书
1.一种MOSFET封装结构，其特征在于，包括一芯片(100)，该芯片具有靠近其上
表面的源极(101)、栅极(102)和漏极区(A)，所述栅极与所述源极、所述漏极区之间
绝缘隔离，该芯片具有靠近其下表面的重掺杂区(103)；所述漏极区内形成有至少
一个孔或槽(201)，所述孔或槽的底部自芯片上表面向下表面延伸至所述重掺杂区，
所述孔或槽内铺设有金属层(501)，所述金属层与所述芯片之间形成欧姆接触，所
述源极的电性引出至所述芯片上表面形成的第一导电体(601)，所述栅极的电性引
出至所述芯片上表面形成的第二导电体(602)，所述孔或槽内金属层的电性引出至
所述芯片上表面形成的第三导电体(603)。
2.根据权利要求1所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述孔或槽为直孔或
直槽，或者为至少一侧壁有一定的倾斜角度的斜孔或斜槽。
3.根据权利要求1所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述孔或槽的底部深
入到所述重掺杂区至少1微米。
4.根据权利要求1所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述金属层与所述重
掺杂区接触的总面积不小于所述芯片上表面面积的20％。
5.根据权利要求1所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述孔或槽上铺设的
金属层为单层金属结构或多层金属结构，金属材质为钛、铝、钨、钯、铜、镍、金
中的一种。
6.根据权利要求1所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述金属层完全填满
所述孔或槽，或
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