《氧化铟镓锌靶材》.pdf

YS/T××××—××××

氧化铟镓锌靶材

1范围

本文件规定了氧化铟镓锌靶材（以下简称“IGZO靶材”）的技术要求、试验方法、检验规则及标

志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。

本文件适用于以氧化铟粉末、氧化镓粉末、氧化锌粉末为原料，以常压烧结工艺生产的氧化铟镓锌

靶材，主要应用于新型显示器件薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）、有机发光二极管（OLED）等产业，

用来制备透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管沟道层半导体材料。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1551硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

GB/T3850致密烧结金属材料与硬质合金密度测定方法

GB/T6569精细陶瓷弯曲强度试验方法

GB/T8170数值修约规则与极限数值的表示和判定

GB/T13298金属显微组织检验方法

GB/T38389氧化铟锡靶材化学分析方法

YS/T837溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法

YS/T1158铜铟镓硒靶材化学分析方法

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

表观密度apparentdensity

每单位体积物质的质量。

3.2

相对密度relativedensity

IGZO靶材表观密度与理论密度的比值。

IGZO靶材铟：镓：锌摩尔比为1：1：1时，其理论密度以6.379g/cm计算。3

4分类

IGZO靶材分为平面靶及管状靶，按铟：镓：锌摩尔比确定牌号为IGZO111。

5技术要求

5.1化学成分

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5.1.1主要成分

IGZO靶材铟：镓：锌摩尔比为1：1：1，铟、镓、锌摩尔比偏差为±0.05%。

5.1.2杂质成分

IGZO靶材杂质成分应符合表1的规定。

表1IGZO靶材杂质成分

-4

杂质含量（×10），不大于

%

FeAlSiCuPbCdNiCrTi总和

10101555555550

注:杂质总和为表中所列杂质元素的总和。

5.1.3其他

需方如对IGZO靶材的化学成分有特殊要求时，由供需双方商定。

5.2物理性能

5.2.1IGZO靶材物理性能应符合表2的规定。

表2IGZO靶材物理性能

相对密度，不小于电阻率×10-2抗弯曲强度

牌号

%Ω·cm，不大于MPa，不小于

IGZO11198.5470

5.2.2需方如对IGZO靶材物理性能有其他要求，由供需双方商定。

5.3尺寸规格及其偏差

IGZO靶材的尺寸规格及其偏差由供需双方商定。

5.4平均晶粒尺寸

IGZO靶材的平均晶粒尺寸不大于10μm。

5.5外观质量

5.5.1IGZO靶材表面呈蓝色、浅蓝色或灰色，色泽均匀。

5.5.2IGZO靶材表面