一种发光二极管芯片的测试方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN110544641A

(43)申请公布日2019.12.06

(21)申请号CN201810524170.8

(22)申请日2018.05.28

(71)申请人山东浪潮华光光电子股份有限公司

地址261061山东省潍坊市高新区金马路9号

(72)发明人李晓明单立英肖成峰任忠祥

(74)专利代理机构济南金迪知识产权代理有限公司

代理人杨树云

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种发光二极管芯片的测试方法

(57)摘要

本发明涉及一种发光二极管芯片的

测试方法，包括：A、制备发光二极管芯

片，包括步骤如下：(1)在导电衬底上生长

发光二极管芯片外延层；发光二极管芯片

外延层包括DBR、有源区、窗口层；(2)在

步骤(1)制得的发光二极管芯片外延层上制

备P电极；(3)在制得的发光二极管芯片外

延层表面制备若干个分割槽，所述分割槽

贯通整个所述发光二极管芯片外延层延伸

至所述导电衬底；(4)对导电衬底减薄，并

生长N电极；B、测试发光二极管芯片。

本发明既保证GaAs基发光二极管芯片发

光区的完整性，且测试结果与制备完成

GaAs基发光二极管芯片结果完全一致，避

免了因不一致造成的下游客户端质量问

题，提升了芯片的品质。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

发明专利申请公布后的驳回

IPC(主分类):H01L21/66专利申发明专利申请公布后

2023-01-13

请号:2018105241708申请公布的驳回

日

权利要求说明书

1.一种发光二极管芯片的测试方法,其特征在于,包括:

A、制备发光二极管芯片,包括步骤如下:

(1)在导电衬底上生长发光二极管芯片外延层;

(2)在步骤(1)制得的所述发光二极管芯片外延层上制备P电极;

(3)在制得的所述发光二极管芯片外延层表面制备若干个分割槽,所述分割槽贯通整

个所述发光二极管芯片外延层延伸至所述导电衬底;

(4)对所述导电衬底减薄,并生长N电极;

B、测试发光二极管芯片。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的测试方法,其特征在于,所述步骤B,

测试发光二极管芯片,包括步骤如下:

(5)将步骤A制得的所述发光二极管芯片放置在光电参数测试台上,使所述N电极朝

下放置在光电参数测试台面上,整个N电极面充当所述发光二极管芯片的N电极连

接测试电源负极;

(6)使用光电参数测试台的测试针扎测所述P电极,测量得到单个发光二极管芯片参

数;

(7)将步骤(6)所述发光二极管芯片放置于劈裂机,使所述N电极朝下、所述P电极朝

上,沿着分割槽进行劈裂。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的测试方法,其特征在于,所述导电衬

底为GaAs衬底或Si衬底。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的测试方法,其特征在于,所述步骤(3),

在制得的所述发光二极管芯片外延层表面制备若干个分割槽,包括步骤如下:

a、在步骤(2)制得的发光二极管芯片外延层表面涂上正性光刻胶;

b、通过光刻在P电极四周按所需发光二极管芯片的尺寸制备分割槽图形;

c、使用腐蚀液腐蚀掉分割槽图形对应的发光二极管芯片外延层;

d、去除正性光刻胶,得到分割开的芯片,即得。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的测试方法,其特征在于,所述分割槽

为长方体。

6.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的测试方法,其特征在于,所述分割槽

的宽度为20-