电子技术基础与技能训练试题.doc

电子技术基础(模拟篇)

第一章半导体二极管

一、单选题

1.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。

A.左移，下移B.右移，上移C.左移，上移D.右移，下移

2.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。

A.小于，大于B.大于，小于C.大于，大于D.小于，小于

3.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（）

A.B.C.D.

4.下列符号中表示发光二极管的为（）。

5.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足()。

A.ID=0B.IDIZ且IDIZMC.IZIDIZMD.IZIDIZM

6.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。

A.少子B.多子C.杂质离子D.空穴

7.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。

A.0B.死区电压C.反向击穿电压D.正向压降

8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。

A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶体缺陷

9.PN结形成后，空间电荷区由（）构成。

A.电子和空穴B.施主离子和受主离子

C.施主离子和电子D.受主离子和空穴

10.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。

A0.1VB0.2VC0.5VD0.7V

11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不同量程时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。

A.直流，相同，相同B.交流，相同，相同

C.直流，不同，不同D.交流，不同，不同

12.在25oC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS≈0.1pA，则在35oC时，下列哪组数据可能正确：（）。

AUth≈0.525V，IS≈0.05pABUth≈0.525V，IS≈0.2pA

CUth≈0.475V，IS≈0.05pADUth≈0.475V，IS≈0.2pA

二、判断题

1.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）

2.二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。（）

3.二极管在工作频率大于最高工作频率fM时会损坏。（）

4.二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏。（）

5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）

6.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）

7.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（）

三、填空题

1.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。

2.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。

3.二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。

4.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。

5.PN结在时导通，时截止，这种特性称为。

6.光电二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。

7.发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。

8.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。

9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。

10.半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。

11.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。

12.PN结正偏是指P区电位N区电位。

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