一种分立器件正面金属的生产方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101452833A

(43)申请公布日2009.06.10

(21)申请号CN200810164214.7

(22)申请日2008.12.31

(71)申请人杭州立昂电子有限公司

地址310018浙江省杭州市下沙经济开发区20号大街199号

(72)发明人钱进

(74)专利代理机构杭州浙科专利事务所

代理人吴秉中

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种分立器件正面金属的生产方法

(57)摘要

一种分立器件正面金属的生产方

法，属于半导体分立器件制造的技术领

域。将已经长好器件的硅片进行表面处理

后，清洗、甩干，把硅片在溅射台中溅射

钛钨合金和镍钒合金，将溅射好的硅片再

进行表面处理，清洗、甩干，最后把甩干

的硅片置于蒸发台中热蒸发银。上述一种

分立器件正面金属的生产方法，在蒸发银

之前，器件的正面已经有溅射上去的钛钨

合金和镍钒合金的保护，有效地屏蔽了蒸

发银产生的二次电子和X射线，避免了蒸

发银对器件的损伤；把溅射有钛钨合金和

镍钒合金的硅片在NH

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于包括如下工艺步骤：

1)已经长好器件的硅片(1)进行表面处理后，清洗、甩干；

2)经步骤1)的硅片(1)在溅射台中溅射钛钨合金(7)和镍钒合金(6)，真空值控制在

2.0×10sup-6/supTorr以下；

3)将溅射好的硅片(1)再进行表面处理，清洗、甩干；

4)经步骤3)的硅片(1)置于蒸发台中，采用热蒸发工艺，在镍钒合金(6)表面蒸发设

置一层厚度为30KA的银(5)。

2.根据权利要求1所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于步骤1)中

所述的已经长好器件的硅片(1)是指硅片(1)上的氧化层(4)、保护环(3)和结势垒(2)都

已经长好。

3.根据权利要求1所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于步骤1)和

步骤3)中所述的表面处理是指将已经长好器件的硅片(1)在NHsub4/subF和

HF的混合溶液中浸泡15～25秒钟，混合溶液中NHsub4/subF:HF的重量比为

8～12:1，其总重量浓度为35～45％，NHsub4/subF和HF的混合溶液的温度

控制在18～22℃。

4.根据权利要求1所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于步骤1)和

步骤3)中所述的清洗是指将硅片(1)置于去离子水槽中溢流8～12分钟，去离子水

的温度控制在18～22℃。

5.根据权利要求1所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于所述的钛

钨合金(7)中钛钨的重量比Ti:W为1:10，溅射厚度为3KA。

6.根据权利要求1所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于所述的镍

钒合金(6)中镍钒的重量比Ni:V为93:7，溅射厚度为2KA。

7.根据权利要求1所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于步骤4)中

所述的热蒸发工艺是指先将蒸发台腔体抽真空至真空度达到5.0×10sup-

6/supTorr以下，开始加热，直至130～170℃时停止加热，加热期间，抽真空不

可中断，待加热结束并且真空达到2.0×10sup-6/supTorr以下，开始蒸发

30KA的银(5)。

8.根据权利要求1所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于步骤3)硅

片甩干和步骤4)银的蒸发设置间隔时间不超过2小时。

9.根据权利要求7所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于蒸发台腔

体的加热温度为145～155℃。

说明书

技术领