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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN103091617A
(43)申请公布日2013.05.08
(21)申请号CN201310033092.9
(22)申请日2013.01.29
(71)申请人无锡华润上华科技有限公司
地址214028江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
(72)发明人连晓谦凌耀君王明陈寒顺许文慧
(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司
代理人马晓亚
(51)Int.CI
G01R31/26
G01R1/067
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种半导体测试方法
(57)摘要
本发明公开了一种半导体测试方
法，所述方法包括，测试头具有探针，当
需要测试半导体产品时，产品上的测试接
触焊垫位于测试头的下方，测试头向下压
使探针接触测试接触焊垫以进行测试，其
特征在于，在第一次扎针的基础上还进行
第二次扎针从而增加探针与所述焊垫纵向
的接触面积。通过本发明的方案，解决了
电性参数测试过程中因接触电阻过大而导
致的测试问题，使测试值更精确，降低了
工厂机台的复测率，提高了工厂机台产
能，提升了生产线的工作效率。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种半导体测试方法，所述方法包括，测试头具有探针，当需要测试半
导体产品时，产品上的测试接触焊垫位于测试头的下方，测试头向下压使探
针接触测试接触焊垫以进行测试，其特征在于，在第一次扎针的
基础上还进行第二次扎针从而增加探针与所述焊垫纵向的接触面
积。
2.如权利要求1所述的方法，所述第一次扎针的深度作为第二次扎针的起
始接触点，第一次扎针与第二次扎针的扎针位置和针压保持不变，其中所述
针压以圆片和针尖刚接触时针尖再往下扎的深度来表示。
3.如权利要求1所述的方法，包括步骤：
步骤1，选择测试模块；
步骤2，测试模块第一次扎针；
步骤3，测试模块第二次扎针；
步骤4，选择量测端口；
步骤5，加上测量信号；
步骤6，测量端口的信号；
步骤7，控制终端进行数据处理。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤4的量测端口为信号
发送测量单元SMU、电容测量单元CMU或脉冲测量单元PGU。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤5的测量信号为电流、
电压或脉冲测量信号。
6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤6的测量端口的信号
为端口的电压、电流或电容信号。
说明书
p技术领域
本发明涉及半导体测试技术领域，尤其涉及一种利用二次扎针的半导体测
试方法。
背景技术
在半导体产品生产或使用过程中，可能需要先测试半导体产品的电性特性。
现行的测试方法通常采用下压式，即测试头具有向下突出的探针，当需要测
试半导体产品时，产品上的测试接触焊垫（PAD）位于测试头的下方，
测试头向下压使探针接触测试接触焊垫以进行测试。
一般，电性参数测试过程主要由6个步骤构成，第一步，选择测试模块；
第二步，测试模块扎针，通常在测试台上进行；第三步，选择量测端口，例
如选择信号发送测量单元SMU、电容测量单元CMU或脉冲测量单元
PGU；第四步，通过测试仪加上电流、电压或脉冲测量信号；第五步，
通过测试仪测量电压、
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