有哪些信誉好的足球投注网站- 1、本文档共4页，可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
《半导体器件物理》试卷（二）标准答案及评分细则
一、填空（共24分，每空2分）
1、PN结电击穿的产生机构两种；
答案：雪崩击穿、隧道击穿或齐纳击穿。
2、双极型晶体管中重掺杂发射区目的；
答案：发射区重掺杂会导致禁带变窄及俄歇复合，这将影响电流传输，目的
为提高发射效率，以获取高的电流增益。
3、晶体管特征频率定义；
答案：随着工作频率f的上升，晶体管共射极电流放大系数下降为1时
所对应的频率f，称作特征频率。
T
4、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号；
答案：V0。
T
5、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因；
答案：沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应。
6、BVCEO含义；
答案：基极开路时发射极与集电极之间的击穿电压。
7、MOSFET短沟道效应种类；
答案：短窄沟道效应、迁移率调制效应、漏场感应势垒下降效应。
8、扩散电容与过渡区电容区别。
205
1
PNPNN
PPNN
P
NP
2
3MOSFET
4
1
2
f
1fff
2
248
1
1
2t3
s
4C
TE
C5
TC
2BJT
12
Early3
4
文档评论（0）