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2020年半导体物理真题精选

[填空题]

1试分别说明：1）在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越

窄，载流子浓度越高；2）对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，载

流子浓度越高。

参考答案：1）在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，则跃

迁所需的能量越小，所以受激发的载流子浓度随着禁带宽度的变窄而增加。由

公式

[填空题]

22

2掺有浓度为每立方米为10硼原子的硅材料，请计算300K。

参考答案：

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[填空题]

-9

30.1kg的Ge单晶，掺有3.2*10kg的Sb，设杂质全部电离，试求该材料的电

23

阻率μ=0.38m/（V.S），Ge的单晶密度为5.32g/cm，Sb原子量为121.8。

n

参考答案：

[填空题]

-2

4室温下，p型半导体中的电子寿命为ι=350us，电子的迁移率u=3600cm/

n

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（V·s）。试求电子的扩散长度。

参考答案：根据爱因斯坦关系：

[填空题]

5已知室温（300K）下硅的禁带宽度E≈1.12eV，价带顶空穴和导带底电子的

g

**193

有效质量之比m/m≈0.55，导带的有效状态密度N≈2.8*10/cm，

pnC

k≈0.026eV。试计算：1）室温（300K）下，纯净单晶硅的本征费米能级E；

Ti

163

2）室温（300K）下，掺磷浓度为10/cm的n型单晶硅的费米能级E。

F

参考答案：1）纯净单晶硅的本征费米能级E.

i

[填空题]

6已知晶格常数为a的一维晶格，其导带和价带极小值附近能

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