《硅多晶还原炉用氮化硅制品》.docx

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硅多晶还原炉用氮化硅制品

1范围

本文件规定了硅多晶还原炉用氮化硅制品的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。

本文件适用于气压烧结、无压烧结工艺制备的氮化硅制品的测试、检验和评价。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

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GB/T5594.5电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法体积电阻率测试方法

GB/T6569精细陶瓷弯曲强度试验方法

GB/T10610产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法评定表面结构的规则和方法GB/T10623金属材料力学性能试验术语

GB/T14264半导体材料术语GB/T15463静电安全术语

GB/T16534精细陶瓷室温硬度试验方法

GB/T16535精细陶瓷线热膨胀系数试验方法顶杆法GB/T17991精细陶瓷术语

GB/T23806精细陶瓷断裂韧性试验方法单边预裂纹梁(SEPB)法

GB/T24582多晶硅表金属杂质含量的测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法GB/T25995精细陶瓷密度和显气孔率试验方法

GB/T31838.2固体绝缘材料介电和电阻特性第2部分：电阻特性(DC方法)体积电阻和体积电阻率

3术语和定义

GB/T10623、GB/T14264、GB/T15463和GB/T17991界定的术语和定义适用于本文件。

4分类

硅多晶还原炉用氮化硅制品按用途分为氮化硅绝缘环、氮化硅尾气罩和氮化硅喷嘴。

5技术要求

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5.1理化性能

硅多晶还原炉用氮化硅制品的理化性能要求见表1。

表1理化性能

项目

氮化硅绝缘环

氮化硅尾气罩

氮化硅喷嘴

密度g/cm3

3.0～3.2

3.0～3.2

3.2～3.4

三点抗弯强度MPa

≥600

≥600

≥800

体积电阻率Ω·cm

≥10

≥10

≥10

击穿强度kV/mm

≥15

10

10

线膨胀系数（RT-500）10/℃

≤3.4

≤3.4

≤3.0

维氏硬度kgf/mm

≥1300

≥1300

≥1400

断裂韧性MPa·m

≥5.0

≥5.0

≥6.0

表面粗糙度μm

≤6.3

≤6.3

≤6.3

尺寸偏差%

≤0.5

≤0.5

≤0.5

表面杂质（Fe、Al、Ca、Na、Cu、Ni、Cr、Ti、Zn、K、Mg、B、P的总含量

mg/kg

≤0.5

≤0.5

≤0.5

5.2尺寸

硅多晶还原炉用氮化硅制品应按图纸要求加工，典型的氮化硅绝缘环见图1，典型的氮化硅尾气罩见图2，典型的氮化硅喷嘴见图3。

标引序号说明：

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D1——氮化硅绝缘环隔热体外径；d1——氮化硅绝缘环隔热体内径；D2——氮化硅绝缘环绝缘体外径；d2——氮化硅绝缘环绝缘体内径；h1——氮化硅绝缘环高度；

h2——氮化硅绝缘环绝缘体高度。

图1氮化硅陶瓷绝缘环

标引序号说明：

D1——氮化硅尾气罩盖子外径；

D2——氮化硅尾气罩筒体底座外径；d1——氮化硅尾气罩筒体底座内径；d2——氮化硅尾气罩盖子下沿外径；

h1——氮化硅尾气罩总高度；

h2——氮化硅尾气罩筒体高度；h3——氮化硅尾气罩气孔高度；

h4——氮化硅尾气罩气孔下沿至底座下沿高度；h5——氮化硅尾气罩盖子下沿凸台高度；

h6——氮化硅尾气罩盖子厚度；

h7——氮化硅尾气罩通气孔直线段长度尺寸；

h8——氮化硅尾气罩通气孔下沿至底座上沿尺寸；L——氮化硅尾气罩通气孔宽度；

R——氮化硅尾气罩通气孔圆弧半径。

图2氮化硅陶瓷尾气罩

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标引序号说明：

D1——氮化硅喷嘴主体外径；d——氮化硅喷嘴主体内径；

D2——氮化硅喷嘴喷嘴底座外径；M——氮化硅喷嘴螺纹端外径；

h1——氮化硅喷嘴总高度；

h2——氮化硅喷嘴主体高度；

h3——氮化硅喷嘴底座下沿至螺纹端下沿高度；h4——氮化硅喷嘴底座下沿至螺纹端上沿间距；C——氮化硅喷嘴上沿倒角；

R——氮化硅喷嘴主体下沿上端内倒角。

图3氮化硅喷嘴

5.3外观质量

硅多晶还原炉用氮化硅制品为色泽均匀的黑色或深灰色结构件，无肉眼可见裂纹，无尺寸大于5mm的斑点，每平方厘米上小于5mm的斑点数量应不大于2个，崩缺尺寸应不大于