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n-Si太阳电池p型发射极的ATT制备及湿法钝化研究.pdf

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    摘要

    硅太阳电池一直是光伏市场主导，也将在未来较长时间内继续发挥重要作用。n型

    n-Si

    硅（）太阳电池具有优越的材料性能优势，能从本质上避免光诱导衰减影响，将逐

    渐成为光伏市场的主流产品，为解决高效n-Si太阳电池p型发射极制备难和钝化成本高

    的问题，实现n-Si太阳电池的低成本制备，本文以低成本硼酸盐为杂质源，分析硼盐热

    学性能后详细研究了不同条件对p型发射极性能的影响，为低成本制备性能优越的p型

    发射极打下坚实的基础。基于简便易行的化学方式，研究湿法氧化对太阳电池表面钝化

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