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士兰微电子SVF10N60AFJ说明书
10A、600VN沟道增强型场效应管
描述
2
SVF10N60AFJN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰
微电子F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的
原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的1
雪崩击穿耐量。3
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H1.栅极2.漏极3.源极
桥PWM马达驱动。
特点
10A，600V，RDS(on)(典型值)=0.58@VGS=10V
低栅极电荷量TO-220FJ-3L
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
命名规则
SVFXNEXXAX
封装外形标识
士兰F-Cell工艺例如：F:TO-220F
VDMOS产品标识版本
额定电流标识,采用1-2位数字；额定耐压值，采用2位数字
例如:4代表4A,10代表10A,例如：60表示600V,65表示650V
08代表0.8A
特殊功能、规格标识，通常省略
沟道极性标识，N代表N沟道例如：E表示内置了ESD保护结构
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称材料包装
SVF10N60AFJTO-220FJ-3L10N60AFJ无铅料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.0
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士兰微电子SVF10N60AFJ说明书
极限参数（除非特殊说明，T=25C）
C
参数符号参数范围单位
漏源电压VDS600V
栅源电压VGS±30V
T=25°C
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