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SVF10N60CFJ说明书

10A、600VN沟道增强型场效应管

描述

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SVF10N60CFJN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用

士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺

1

及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高

的雪崩击穿耐量。3

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高1.栅极2.漏极3.源极

压H桥PWM马达驱动。

特点

1

10A，600V，RDS(on)(典型值)=0.75@VGS=10V23

低栅极电荷量

低反向传输电容TO-220FJ-3L

开关速度快

提升了dv/dt能力

命名规则

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装

SVF10N60CFJTO-220FJ-3L10N60CFJ无卤料管

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.4

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