智能计算 忆阻器基础特性测试方法 编制说明.pdf

《智能计算忆阻器基础特性测试方法》

（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

1.任务来源

本项目是依据“国家标准化管理委员会关于下达2024年第一批

推荐性国家标准计划及相关标准外文版计划的通知（国标委发〔2024〕

16号）”下达的项目计划，计划号为T-469，项目名称

为“智能计算忆阻器基础特性测试方法”。本项目由国家标准化管理

委员会主管，全国智能计标准化算工作组（SAC/SWG32）和全国半导

体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。本项目是制定项目，

由之江实验室、浙江大学、中国科学院微电子研究所、中国电子科技

集团第十三研究所、复旦大学、上海复旦微电子集团有限公司、河北

大学、东北师范大学、中国信息通信研究院等十余家单位共同负责起

草，计划完成时间为2025年。

2.制定背景

忆阻器作为新型的存算一体器件，利用阻变材料在电脉冲作用呈

现不同电阻状态的特点，实现非易失性数据存储和计算，为开发高能

效的新型存算一体系统提供了切实可行的解决方案。当前忆阻器作为

存算一体技术的代表器件，在垂直细分领域即将规模化应用。然而目

前针对忆阻器还没有一套完整、科学、规范的测试标准，导致忆阻器

的研制生产单位和使用单位因测试方法不统一，测试结果没有可比性，

从而给技术交流、贸易沟通等方面造成一定障碍，阻碍忆阻器的技术

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和市场的发展，因此亟待统一技术和检测标准。例如对于SET/RESET

操作，根据不同型号及尺寸的忆阻器，有采用调节脉冲宽度的方法，

也有采用调节脉冲信号峰值的方法，不同的SET/RESET方式的步骤流

程均有所区别，制定基础特性测试方法标准可为不同单位的测试对比

作参考，能够在开展忆阻器测试工作时有据可依，保障与促进忆阻器

技术的进一步深入研究。

3.工作过程

2024年3月项目计划下达后，经过与全国半导体器件标准化技

术委员会（SAC/TC78）协调沟通，双方一直同意由之江实验室牵头征

集标准参编单位，组建了包括之江实验室、浙江大学、中国科学院微

电子研究所、中国电子科技集团第十三研究所、复旦大学、上海复旦

微电子集团有限公司、河北大学、东北师范大学、中国信息通信研究

院等十余家单位在内的标准编制组。对《智能计算忆阻器基础特性

测试方法》标准草案进行编制和修改。同时，在智能计算标标准化工

作组下设的存算一体研究组内广泛征求各专家意见，共计征集意见63

条。

2024年6月在之江实验室作为牵头单位，组织召开了标准启动

会暨第一次研讨会，在会上就会前征集的63条意见以及现场提出的

各条意见进行逐条讨论。

2024年6月~7月，编制组总结专家建议，对标准草案初稿进行

修改和完善。并在参编单位内开展了相关测试方法的调研工作，完善

测试方法，并按照标准测试方法对不同批次和不同规格的忆阻单元和

阵列进行测试，验证测试方法的合理性。

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2024年8月初，继续在编制组内征求各单位专家意见，共收集

意见27条。8月中旬，组织召开第二次标准研讨会，经过会上各位专

家的意见，进一步完善了标准草案的内容。

2024年8月下旬召开第三次标准研讨会，组织相关标准化专家

对草案的编辑格式和内容进一步讨论，并根据专家意见对草案进行修

改。

2024年11月2号，在北京召开编制组第4次研讨会，会上对草

案再次进行讨论，并结合专家意见对草案进行修改，最终于11月上

旬形成征求意见稿。

2024年11月中旬，征求意见稿上报主管部门。

二、国家标准编制原则、主要内容及其确定依据

1.编制原则

（1）规范性原则。本标准在编写格式上符合我国国家标准GB/T

1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草

规则》。

（2）协调性原则。该标准的编写遵循国家相关方针和法规制度，

与国家国际标准，国家标准相协调。同时，该标准编制过程中充分考

虑了忆阻器性能测试系列标准之间协调一致性。

（3）科学性原则。本标准多次召开标准起草会、专家研讨会，

广泛听取并