外延工艺培训课件.pptx

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3.7外延工艺;材料;CVD法的步骤:

1.参加反应的气体的混合物被输运到沉积区

2.反应物分子由主气流扩散到衬底的表面

3.反应物分子吸附在衬底表面上

4.吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生化学反应,生成硅原子和化学反应副产物,硅原子沿衬底表面迁移并结合进入晶体点阵。

5.反应副产物分子从衬底表面解吸

6.副产物分子由衬底表面外扩散到主气流中,然后排出淀积区

;;3.7.1外延生长原理

1气相外延

外延是指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术,新单晶的晶向取决于衬底,由衬底向外外延而成。

外延方法很多,硅半导体器件中通常采用硅的气相外延法。其过程是:四氯化硅(SiCl4)或硅烷(SiH4),在加热的硅衬底表面与氢发生反应或自身发生热分解,还原成硅,并以单晶形式沉积在硅衬底表面。;2外延生长设备;外延系统应满足如下要求:

(1)气密性好

(2)温度均匀且精确可控,能保证衬底均匀地升温与降温;

(3)气流均匀分布

(4)反应剂与掺杂计的浓度及流量精确可控

(5)管道、阀门用不锈钢制造,并保证连接可靠。

(6)要使用多个流量计使反应剂与掺杂计的浓度及流量精确可控。

(7)石墨基座由高纯墨制成。加热采用射频感应加热方式。

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