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士兰微电子SVF7N65RD(MJ)(FJH)(F)(T)说明书

7A、650VN沟道增强型场效应管

描述2

SVF7N65RD(MJ)(FJH)(F)(T)N沟道增强型高压功率MOS场效应

晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进11

3

的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及

TO-252-2L

很高的雪崩击穿耐量。3

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压1.栅极2.漏极3.源极

H桥PWM马达驱动。

1

2

特点13

2TO-251J-3L

3

TO-220-3L

7A，650V，RDS(on)(典型值)=1.2@VGS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

1

开关速度快2312

3

提升了dv/dt能力TO-220F-3LTO-220FJH-3L

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVF7N65RMJTO-251J-3L7N65RMJ无卤料管

SVF7N65RDTRTO-252-2L7N65RD无卤编带

SVF7N65RFJHTO-220FJH-3L7N65RFJH无卤料管

SVF7N65RFTO-220F-3LSVF7N65RF