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士兰微电子SVF10N65RAMJ/MQ/D说明书

10A、650VN沟道增强型场效应管

描述

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SVF10N65RAMJ//MQ/DN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体

管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进

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的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能

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及很高的雪崩击穿耐量。

1.栅极2.漏极3.源极TO-251Q-3L

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高

压H桥PWM马达驱动。

特点

10A，650V，RDS(on(typ.)=0.85@VGS=10V12313

低栅极电荷量TO-251J-3LTO-252-2L

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

命名规则

SVFXNEXXRAX

封装外形标识。例如：

D:TO-252;MJ:TO-251J

士兰F-Cell工艺

VDMOS产品标识版本

额定耐压值，采用2位数字

额定电流标识,采用1-2位数字；

例如：65表示650V

例如:4代表4A

特殊功能、规格标识，通常省略

沟道极性标识，N代表N沟道例如：E表示内置了ESD保护结构

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装

SVF10N65RAMJTO-251J-3L10N65RAMJ无卤料管

SVF10N65RAMQTO-251Q-3L10N65RAMQ无卤料管

SVF10N65RADTRTO-252-2L10N65RAD无卤编带

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.0

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士兰微电子SVF10N65RAMJ/MQ/D说明书

极限参数(除非特殊说明，T=25C)

C

参数名称符号