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SiliconN-ChannelPowerMOSFETR
○
CS2N15AE-1
GeneralDescription：VDSS150V
CS2N15AE-1,thesiliconN-channelEnhancedID2A
VDMOSFETs,isobtainedbythehighdensityTrenchPD2W
technologywhichreducetheconductionloss,improveswitchingRDS(ON)Typ230mΩ
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
D1D1D2D2
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.ThepackageformisSOP8,
whichaccordswiththeRoHSstandard..
Features：
FastSwitching
S1G1S2G2
LowONResistance(Rdson≤300mΩ)
LowGateCharge
LowReversetransfercapacitances
100%SinglePulseavalancheenergyTest
Applications：
Powerswitchcircuitofadaptorandcharger.
Absolute（TA=25℃unlessotherwisespecified）
SymbolParameterRatingUnits
VDSSDrain-to-SourceVoltage150V
ContinuousDrainCurrent2.0A
ID
ContinuousDrainCurrentTC=100°C1.6A
a1
IDM
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