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第四章半导体集成电路(最终版).pdf

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    第四章半导体集成电路

    硅平面工艺

    硅平面工艺

    制造工艺在同一硅片衬底的表平面上进行的工艺。

    4.1.1衬底单晶材料的制备

    纯要求：杂质原子浓少于，即浓达以上。

    单晶的直拉法（CZ法）制备

    直拉法

    熔化多晶硅掺杂成n或p型Si（多晶）

    以高质量籽晶作为母晶吸附多晶熔液

    缓慢旋转提升籽晶形成等径单晶Si棒

    切薄片化学腐蚀

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