智能计算 忆阻器基础特性测试方法 编制说明.docx

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《智能计算忆阻器基础特性测试方法》

（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

1.任务来源

本项目是依据“国家标准化管理委员会关于下达2024年第一批推荐性国家标准计划及相关标准外文版计划的通知（国标委发〔2024〕16号）”下达的项目计划，计划号为T-469，项目名称为“智能计算忆阻器基础特性测试方法”。本项目由国家标准化管理委员会主管，全国智能计标准化算工作组（SAC/SWG32）和全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。本项目是制定项目，由之江实验室、浙江大学、中国科学院微电子研究所、中国电子科技集团第十三研究所、复旦大学、上海复旦微电子集团有限公司、河北大学、东北师范大学、中国信息通信研究院等十余家单位共同负责起草，计划完成时间为2025年。

2.制定背景

忆阻器作为新型的存算一体器件，利用阻变材料在电脉冲作用呈现不同电阻状态的特点，实现非易失性数据存储和计算，为开发高能效的新型存算一体系统提供了切实可行的解决方案。当前忆阻器作为存算一体技术的代表器件，在垂直细分领域即将规模化应用。然而目前针对忆阻器还没有一套完整、科学、规范的测试标准，导致忆阻器的研制生产单位和使用单位因测试方法不统一，测试结果没有可比性，从而给技术交流、贸易沟通等方面造成一定障碍，阻碍忆阻器的技术

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和市场的发展，因此亟待统一技术和检测标准。例如对于SET/RESET操作，根据不同型号及尺寸的忆阻器，有采用调节脉冲宽度的方法，也有采用调节脉冲信号峰值的方法，不同的SET/RESET方式的步骤流程均有所区别，制定基础特性测试方法标准可为不同单位的测试对比作参考，能够在开展忆阻器测试工作时有据可依，保障与促进忆阻器技术的进一步深入研究。

3.工作过程

2024年3月项目计划下达后，经过与全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）协调沟通，双方一直同意由之江实验室牵头征集标准参编单位，组建了包括之江实验室、浙江大学、中国科学院微电子研究所、中国电子科技集团第十三研究所、复旦大学、上海复旦微电子集团有限公司、河北大学、东北师范大学、中国信息通信研究院等十余家单位在内的标准编制组。对《智能计算忆阻器基础特性测试方法》标准草案进行编制和修改。同时，在智能计算标标准化工作组下设的存算一体研究组内广泛征求各专家意见，共计征集意见63条。

2024年6月在之江实验室作为牵头单位，组织召开了标准启动会暨第一次研讨会，在会上就会前征集的63条意见以及现场提出的各条意见进行逐条讨论。

2024年6月~7月，编制组总结专家建议，对标准草案初稿进行修改和完善。并在参编单位内开展了相关测试方法的调研工作，完善测试方法，并按照标准测试方法对不同批次和不同规格的忆阻单元和阵列进行测试，验证测试方法的合理性。

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2024年8月初，继续在编制组内征求各单位专家意见，共收集意见27条。8月中旬，组织召开第二次标准研讨会，经过会上各位专家的意见，进一步完善了标准草案的内容。

2024年8月下旬召开第三次标准研讨会，组织相关标准化专家对草案的编辑格式和内容进一步讨论，并根据专家意见对草案进行修改。

2024年11月2号，在北京召开编制组第4次研讨会，会上对草案再次进行讨论，并结合专家意见对草案进行修改，最终于11月上旬形成征求意见稿。

2024年11月中旬，征求意见稿上报主管部门。

二、国家标准编制原则、主要内容及其确定依据

1.编制原则

（1）规范性原则。本标准在编写格式上符合我国国家标准GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》。

（2）协调性原则。该标准的编写遵循国家相关方针和法规制度，与国家国际标准，国家标准相协调。同时，该标准编制过程中充分考虑了忆阻器性能测试系列标准之间协调一致性。

（3）科学性原则。本标准多次召开标准起草会、专家研讨会，广泛听取并充分采纳业内专家的意见建议，标准文稿的形成凝集了行业智慧和经验。同时，在制定过程中进行验证试验，以确保本标准的可操作性和科学性。

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2.主要内容及其确定依据

本文件规定了不同结构和材料的双极型忆阻器件及其阵列的读、电预处理、写、阵列并行计算等基础特性测试方法。

本标准的主要内容包括范围，规范性引用文件，忆阻器件及其阵列基础特性相关的术语和定义，待测器件，测试装置，测试环境，忆阻器件及忆阻器阵列的基础特性测试方法，测试报告和参考文献。

在测试方法中，详细而具体的规定了忆阻器件的读操作、电预处理和写操作的测试步