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SiliconN-ChannelPowerMOSFET
R
CS1N15ASFD-G
GeneralDescriptionVDSX150V
CS1N15ASFD-G,thesiliconN-channelDepletion-ModeIDmin0.2A
VDMOSFETs,isobtainedbyadvancedplanarTechnologywhichRDS(ON)Typ4Ω
reducetheconductionloss,improveswitchingperformanceand
enhancetheavalancheenergy.Thetransistorcanbeusedinvarious
powerswitchingcircuitforsystemminiaturizationandhigherefficiency.
ThepackageformisSOT-23,whichaccordswiththeRoHSstandard.
Features
lESDimprovedCapability
lDepletion-mode(Normally-on)
lFastSwitching
lLowOn-Resistance
lImproveddv/dtcapability
lHalogenfreeavailable
Applications
Powerswitchcircuitofadaptorandcharger.
Absolute（Ta=25℃unlessotherwisespecified）：
SymbolParameterRatingUnits
VDSXDrain-to-SourceVoltage150V
IDContinuousDrainCurrent0.2A
[1]
IDMPulsedDrainCurrent0.8A
VGSGate-to-SourceVoltage±20V
PDPowerDissipation1.2W
T，TOperatingJunctionandStorageTemperatureRange150，55to150
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