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士兰微电子SVF8N65CFJ说明书

8A、650VN沟道增强型场效应管

描述

SVF8N65CFJN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰2

微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及原胞

结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击1

穿耐量。3

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H1.栅极2.漏极3.源极

桥PWM马达驱动。

特点

8A，650V，RDS(on)(典型值)=1.25@VGS=10V1

2

3

低栅极电荷量

TO-220FJ-3L

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

命名规则

SVFXNEXXCXX

封装外形标识

士兰F-Cell工艺例如：FJ:TO-220FJ

VDMOS产品标识版本

额定耐压值，采用2位数字

额定电流标识,采用1-2位数字；

例如：65表示650V

例如:14代表14A

特殊功能、规格标识，通常省略

沟道极性标识，N代表N沟道例如：E表示内置了ESD保护结构

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装形式

SVF8N65CFJTO-220FJ-3LSVF8N65CFJ无卤料管

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.0

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士兰微电子SVF8N65CFJ说明书

极限参数(除非特殊说明，T=25C)

C

参数名称符号参数范围单位

漏源电压VDS650V

栅源电压